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Si雪崩單元探測(cè)器

簡(jiǎn)要描述：Si雪崩單元探測(cè)器：Si雪崩單元探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補(bǔ)償；隔離電源供電確保輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響；APD溫度補(bǔ)償提高探測(cè)模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測(cè)器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點(diǎn)。

產(chǎn)品品牌：其他品牌
廠商性質(zhì)：代理商
更新時(shí)間：2024-10-12
訪問量：163

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品牌	其他品牌	應(yīng)用領(lǐng)域	綜合

Si雪崩單元探測(cè)器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

Si雪崩單元探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補(bǔ)償；隔離電源供電確保輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響；APD溫度補(bǔ)償提高探測(cè)模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測(cè)器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點(diǎn)。

產(chǎn)品特點(diǎn)

l噪聲低

l高增益

l內(nèi)置高壓電源

lAPD溫度補(bǔ)償

l結(jié)構(gòu)緊湊

l內(nèi)置低噪隔離電源

應(yīng)用領(lǐng)域

l光纖傳感

l光纖通信

l激光測(cè)距

l光譜測(cè)量

lns 級(jí)光脈沖探測(cè)

產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)	APD-100M-B	APD-200M-B	APD-300M-B	APD-400M-B	APD-500M-B	APD-1G-B	APD-2G-B	單位
探測(cè)器類型	Si
波長(zhǎng)	400~1100							nm
帶寬	100M	200M	300M	400M	500M	1G	2G	Hz
響應(yīng)度	25	25	25	25	25	25	25	A/W@850nm
跨阻增益	300K	300K	300K	300K	300K	300K	300K	V/W
輸出阻抗	50	50	50	50	50	50	50
飽和功率	13	13	13	13	13	13	30	uW
NEP	O.18	0.18	0.18	0.18	0.18	0.2	0.2	pW/(Hz)
輸出耦合方式	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC	AC	AC
供電電壓	5	5	5	5	5	12	12	V
供電電流	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	A
光學(xué)輸入	FC/APC(自由空間光可選)
射頻輸出	SMA
外形尺寸	655020							mm

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